Hiina MMBT2907W NPN epitaksiaalse räni üldtransistori tootjad ja tarnijad

Tootekirjeldus
Tehnilised andmed
Lae alla

●MMBT2907W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor – ülemine diood

MMBT2907W 60V 600mA SOT-323 pakett

MMBT2907W / MMBT2907AW PNP Silicon Epitaxial Planar Medium Power transistorid on mõeldud üldotstarbelisteks võimendirakendusteks. Need asuvad pakendis SOTâ€“323/SCâ€“70, mis on mõeldud väikese võimsusega pindpaigaldusrakenduseks.

●MMBT2907W PNP epitaksiaalse räni üldotstarbelise transistori tutvustus

PNP bipolaarne transistor asub SOT-323/SC-70 pakendis, mis on mõeldud väikese võimsusega pindpaigaldusrakenduste jaoks.

●MMBT2907W PNP epitaksiaalse räni üldotstarbelised transistori omadused

* PNP epitaksiaalne räni, tasapinnaline disain

* Kollektor-emitteri pinge VCE =-40V

* Kollektori vool IC =-600mA

●MMBT2907W PNP epitaksiaalse räni üldotstarbeline transistori rakendus

* Lülitus- ja võimendirakenduste jaoks

●MMBT2907W PNP epitaksiaalräni üldotstarbeline transistori kvalifikatsioonï¼ŒTarne, kohaletoimetamine ja tingimused

* RoHS-iga ühilduv

* REACH-ühilduv

* Tavaline varudiood

* Töökoha, FCA või FOB tingimused

●MMBT2907W PNP epitaksiaalräni üldotstarbelised transistori piirjooned ja välismõõtmed

●MMBT2907W PNP epitaksiaalne räni üldtransistor MAKSIMAALSED NININGUD JA ELEKTRILISED KARAKTERISTIKUD

Absoluutsed maksimumväärtused (Ta = 25 °C)

Parameeter	Sümbol	Väärtus	Üksus
Kollektori baaspinge	-VCBO	60	V
Koguja emitteri pinge MMBT2907W MMBT2907AW	-VCEO	40 60	V
Emitter baaspinge	-VEBO	5	V
Koguja vool	-IC	600	mA
Kogu võimsuse hajumine	Ptot	200	mW
Ristmiku temperatuur	Tj	150	°C
Säilitustemperatuuri vahemik	Tstg	-55 kuni +150	°C

MMBT2907W / MMBT2907AW
Karakteristikud Ta = 25 °C juures

Parameeter	Sümbol	Min.	Max	Üksus
DC voolu võimendus juures -VCE = 10 V, -IC = 0,1 mA MMBT2907W MMBT2907AW juures -VCE = 10 V, -IC = 1 mA MMBT2907W MMBT2907AW juures -VCE = 10 V, -IC = 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW pingel -VCE = 10 V, -IC = 150 mA -VCE = 10 V, -IC = 500 mA MMBT2907W MMBT2907AW	hFE	35 75 50 100 75 100 100 30 50	- - - - - - 300 - -	- - - - - - - - -
Kollektori aluse katkestusvool juures -VCB = 50 V	-ICBO	-	100	nA
Koguja emitteri katkestusvool pingel -VCE = 30 V	-ICES	-	100	nA
Emitter baasi piirvool juures -VEB= 3 V	-IEBO	-	100	nA
Kollektori aluse läbilöögipinge juures -IC= 10 uA	-V(BR)CBO	60	-	V
Kollektori emitteri läbilöögipinge at -IC = 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW	-V(BR)tegevjuht	40 60	- -	V
Emitter baasi läbilöögipinge -IE = 10 uA juures	-V(BR)EBO	5	-	V
Kollektori emitteri küllastuspinge -IC = 150 mA, -IB = 15 mA -IC = 500 mA, -IB = 50 mA	-VCE (laup)	- -	0.4 1.6	V
Baasemitteri küllastuspinge -IC = 150 mA, -IB = 15 mA -IC = 500 mA, -IB = 50 mA	-VBE (laup)	- -	1.3 2.6	V
Ülemineku sagedus -VCE = 20 V, IE = 50 mA, f = 100 MHz	fT	200	-	MHz
Kollektori väljundmahtuvus pingel -VCB = 10 V, f = 100 KHz	Cob	-	8	pF
Sisselülitusaeg -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	tonn	-	50	ns
Hilinemisaeg -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	td	-	10	ns
Tõusuaeg -VCC = 30 V, -VBE(OFF) = 1,5 V, -IC = 150 mA, -IB1 = 15 mA	tr	-	40	ns
Väljalülitusaeg juures -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	toff	-	100	ns
Säilitusaeg juures -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	tstg	-	80	ns
Sügisene aeg juures -VCC = 30 V, -IC = 150 mA, IB1 = IB2 = -15 mA	tf	-	30	ns

●MMBT2907W PNP epitaksiaalse räni üldotstarbelised transistoriga seotud osad

MMBT2907W PNP epitaksiaalne räni üldtransistor - ülemine diood

RoHS-iga ühilduv

REACH-ühilduv

Hot tags: MMBT2907W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor, tootjad, tarnijad, osta, tehas, laos, hulgi, tasuta proov, kaubamärgid, Hiina, valmistatud Hiinas, hind, hinnakiri, pakkumine, REACH, ROHS, kvaliteet, vastupidav, täiustatud

Toote märgis

Saada päring

Palun andke oma päring teile allolevas vormis. Me vastame teile 24 tunni jooksul.

Tooted

Uued tooted

MMBT2907W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor

MMBT2907W NPN epitaksiaalsed räni üldtransistorid on mõeldud üldotstarbeliste võimendirakenduste jaoks. Need asuvad pakendis SOTâ€“323/SCâ€“70, mis on mõeldud väikese võimsusega pindpaigaldusrakenduseks.