Hiina MMBT4401W NPN epitaksiaalse räni üldtransistoride tootjad ja tarnijad

Tootekirjeldus
Tehnilised andmed
Lae alla

MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor – ülemine diood

MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor, bipolaarsed transistorid – BJT 600mA 60V NPN SOT-323

MMBT4401W NPN epitaksiaalne tasapinnaline keskmise võimsusega transistor lülitus- ja võimendirakenduste jaoks

●MMBT4401W NPN epitaksiaalse räni üldotstarbelise transistori tutvustus

Need transistorid on mõeldud üldotstarbelisteks võimendirakendusteks. Need asuvad SOTâˆ’323/SCâˆ’70 pakendis, mis on mõeldud väikese võimsusega pindpaigaldusrakendusteks.

●MMBT4401WNPN epitaksiaalse räni üldotstarbelised transistori omadused

* NPN epitaksiaalne räni, tasapinnaline disain

* Kollektor-emitteri pinge

* VCE = 40 V

* Kollektori vool IC = 600mA

●MMBT4401W NPN epitaksiaalse räni üldotstarbeline transistori rakendus

* Võimendi ja lüliti

●MMBT4401W NPN epitaksiaalräni üldtransistori kvalifikatsioonï¼ŒTarne, kohaletoimetamine ja tingimused

* RoHS-iga ühilduv

* REACH-ühilduv

* Tavaline varudiood

* Töökoha, FCA või FOB tingimused

●MMBT4401W NPN epitaksiaalse räni üldotstarbelise transistori piirjooned ja välismõõtmed

●MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor MAKSIMAALSED NININGUD JA ELEKTRILISED KARAKTERISTIKUD

Absoluutsed maksimumhinnangud (Ta = 25 °C)

Parameeter	Sümbol	Väärtus	Üksus
Kollektori baaspinge	VCBO	60	V
Koguja emitteri pinge	VCEO	40	V
Emitter baaspinge	VEBO	6	V
Koguja vool	IC	600	mA
Kogu võimsuse hajumine	Ptot	200	mW
Ristmiku temperatuur	TJ	150	°C
Säilitustemperatuuri vahemik	Tstg	-55 kuni +150	°C

Karakteristikud Ta = 25 OC juures

Parameeter	Sümbol	Min.	Max	Üksus
DC voolu võimendus juures VCE = 1 V, IC = 0,1 mA juures VCE= 1 V, IC= 1 mA juures VCE = 1 V, IC = 10 mA juures VCE = 1 V, IC = 150 mA juures VCE = 2 V, IC = 500 mA	hFE	20 40 80 100 40	- - - 300 -	- - - - -
Kollektori katkestusvool VCB juures = 35 V	ICBO	-	0.1	µA
Baasi katkestusvool VEB juures = 5 V	IEBO	-	0.1	µA
Kollektori aluse läbilöögipinge IC = 0,1 mA juures	V(BR)CBO	60	-	V
Kollektori emitteri läbilöögipinge IC = 1 mA juures	V(BR) tegevjuht	40	-	V
Emitter baasi läbilöögipinge IE = 0,1 mA juures	V(BR)EBO	5	-	V
Kollektori emitteri küllastuspinge IC = 150 mA, IB = 15 mA juures IC = 500 mA, IB = 50 mA juures	VCEsat	- -	0.4 0.75	V
Baasemitteri küllastuspinge IC = 150 mA, IB = 15 mA juures IC = 500 mA, IB = 50 mA juures	VBEsat	- -	0.95 1.2	V
Praegune ribalaiuse suurendamise toode juures VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz	fT	250	-	MHz
Kollektori baasmahtuvus VCB juures = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz	Ccb	-	8	pF

●MMBT4401W NPN epitaksiaalräni üldotstarbelised transistoriga seotud osad

MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor – ülemine diood

RoHS-iga ühilduv

REACH-ühilduv

Hot tags: MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor, tootjad, tarnijad, osta, tehas, laos, hulgi, tasuta proov, kaubamärgid, Hiina, valmistatud Hiinas, hind, hinnakiri, pakkumine, REACH, ROHS, kvaliteet, vastupidav, täiustatud

Toote märgis

Saada päring

Palun andke oma päring teile allolevas vormis. Me vastame teile 24 tunni jooksul.

Tooted

Uued tooted

MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldotstarbeline transistor

MMBT4401W NPN epitaksiaalne räni üldtransistor, bipolaarsed transistorid - BJT 600mA 60V NPN SOT-323